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電子・半導体デバイス分野

現代産業の基盤となる電子・半導体 デバイスの技術革新は,大規模集積回路の配線技術の超微細化により支えられてきました。7nm世代へ突入していく中、さらなる微細化の実現には多くの 課題が山積してそれを構成する要素技術の課題を解決しなければいけません。これまで本研究室では、従来困難であった高融点薄膜材料を低温下で成膜する技術を開発し、微細配線材料や拡散防止膜の熱的安定性の向上に向けた研究開発を進めています。

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Low temperature (Ts/Tm < 0.1)
epitaxial growth of HfN/MgO(001)
via reactive HiPIMS with
metal-ion synchronized substrate bias

HiPIMS法における
基板パルスバイアス電圧遅延同期技術を活用した
窒化ハフニウム薄膜の
MgO基板上への低温エピタキシャル成長

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Low temperature growth of
stress-free single phase α-W films
using HiPIMS with
synchronized pulsed substrate bias

HiPIMS法における
基板パルスバイアス電圧の遅延同期技術を活用した
ストレスフリー
タングステン薄膜の低温形成

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